半导体前沿技术研发中心竣工环境保护验收公示

根据《国务院关于修改〈建设项目竣工环境保护管理条例〉的决定》（国务院令第682号），以及环保部《关于发布〈建设项目竣工环境保护验收暂行办法〉的公告》（国环规环评〔2017〕4号），现将《半导体前沿技术研发中心竣工环境保护验收监测报告表》及验收意见公示如下：

项目名称：半导体前沿技术研发中心

建设地址：高新大道999号未来科技城G2栋2楼

建设单位：华引芯（武汉）科技有限公司

建设内容：租用武汉新能源研究院有限公司未来科技城武汉新能源大楼G2栋2楼4间空置房间作为研发中心用净化间实验室，新建半导体前沿技术研发中心，建筑面积780.4m²。项目租用区域已经基本建成，只需要安装设备仪器等。项目主体工程包括会议室、办公室、成品实验室、封装实验室、可靠性实验室、测试实验室、MINI实验室、仓库、危废暂存间等。本项目主要进行高端LED光源、半导体器件封测等技术研发、测试、检测等，预计年测试研发量为1000套/年。

公示时间：2023年4月24日—2023年5月23日（共20个工作日）

联 系 人：陈娟

联系电话：15071494723

邮箱：1173834280@qq.com

公示期间，对上述公示内容如有异议，请以书面形式反馈，个人须署真实姓名，单位须加盖公章。